Транзисторы импортные б/у

Транзисторы импортные

Отправка в регионы от 900 руб
Транзисторы времён СССР
Фото реальные. Были приготовлены для производство НО что-то не срослось
Цена: 60 рубшт
Производство :TOSHIBA. HITACHI.STE.Болгария
Применялись в магнитофонах 70 годов и не только

2SB75 =58 шт.
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 25V
Uce,max 25V
Ueb,max 12V
Ic,max 100mA
Tj,max 85єC
Ft,max 800KHz
Hfe 55T
Производитель HITACHI
Применение Low Power, General Purpose

GS111C=4шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 83mW
Ucb,max 20V
Ic,max 210mA
Tj,max 90єC
Hfe 60MIN
Производитель STE
Применение Low Power, Switching, General Purpose

2SA17=3шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 80mW
Ucb,max 12V
Uce,max 10V
Ueb,max 12V
Ic,max 150mA
Tj,max 75єC
Ft,max 8MHz
Cctip,pF 15
Hfe 250T
Производитель HITACHI
Применение Medium Power, General Purpose

GS121D = 24шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 20V
Ic,max 100mA
Tj,max 90єC
Hfe 90MIN
Производитель STE
Применение Low Power, Switching, General Purpose

GS121C= 13шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 20V
Ic,max 100mA
Tj,max 90єC
Hfe 60MIN
Производитель STE
Применение Low Power, Switching, General Purpose

GS109D=2шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 83mW
Ucb,max 20V
Ic,max 50mA
Tj,max 90єC
Hfe 90MIN
Производитель STE
Применение Low Power, Switching, General Purpose

2SA53=10шт
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 60mW
Ucb,max 18V
Ueb,max 12V
Ic,max 5mA
Tj,max 75єC
Ft,max 2MHz
Cctip,pF 13
Hfe 20/130
Производитель TOSHIBA
Применение RF, Low Power, General Purpose

ГТ 1 322 (Болгария).
Транзистор ГТ1 - биполярный германиевый конверсионный p-n-p переключательный высокочастотный маломощный.
Предназначен для применения в схемах переключения.
ГТ1-306 = 2шт
ГТ1-307 = 7шт
ГТ1-308 = 10шт
ГТ1-323 = 6шт